창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5925D G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
허용 오차 | ±1% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5925D G | |
관련 링크 | 1N592, 1N5925D G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | CMR200T32768EZYT | 32.768kHz ±10ppm 수정 7pF 50k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 원통형 캔, 레이디얼 | CMR200T32768EZYT.pdf | |
![]() | DEA453960BT-3002B1 | FLTR BANDPASS 3.1-4.9GHZ UWB SMD | DEA453960BT-3002B1.pdf | |
![]() | CMF5576R800DHR6 | RES 76.8 OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF5576R800DHR6.pdf | |
![]() | F9308DMQB | F9308DMQB F CDIP | F9308DMQB.pdf | |
![]() | K9LBG08U1D-KIB0 | K9LBG08U1D-KIB0 SAMSUNG TSOP | K9LBG08U1D-KIB0.pdf | |
![]() | DA5A6.8JE | DA5A6.8JE TOSHIBA SOT353 | DA5A6.8JE.pdf | |
![]() | SAA7136E/V1/G | SAA7136E/V1/G PHILIPS BGA256 | SAA7136E/V1/G.pdf | |
![]() | M191773 | M191773 ORIGINAL SMD or Through Hole | M191773.pdf | |
![]() | 900/512-SL7F7 | 900/512-SL7F7 INTEL BGA | 900/512-SL7F7.pdf | |
![]() | MAX636ACPA | MAX636ACPA MAX DIP8 | MAX636ACPA.pdf | |
![]() | G30B60PD | G30B60PD IR TO-247 | G30B60PD.pdf | |
![]() | SN74HCT163N | SN74HCT163N PHI DIP | SN74HCT163N.pdf |