창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5925BP/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5925BP/TR12 | |
관련 링크 | 1N5925B, 1N5925BP/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | TAJX227K004RNJ | 220µF Molded Tantalum Capacitors 4V 2917 (7343 Metric) 900 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TAJX227K004RNJ.pdf | |
![]() | SIT8009BI-82-33E-125.000000X | OSC XO 3.3V 125MHZ OE | SIT8009BI-82-33E-125.000000X.pdf | |
![]() | MAX203EEWP+ | MAX203EEWP+ MAXIM D | MAX203EEWP+.pdf | |
![]() | SC16IS760IBS.151 | SC16IS760IBS.151 NXP SMD or Through Hole | SC16IS760IBS.151.pdf | |
![]() | R326J-11 | R326J-11 ROCKWELL DIP | R326J-11.pdf | |
![]() | ZV25M1210301R1 | ZV25M1210301R1 SEI SMD | ZV25M1210301R1.pdf | |
![]() | UF820 | UF820 ORIGINAL TO-220AC | UF820.pdf | |
![]() | MD2147H3B | MD2147H3B INTEL SMD or Through Hole | MD2147H3B.pdf | |
![]() | HC49UFB1FI1836864 | HC49UFB1FI1836864 ISL OSC | HC49UFB1FI1836864.pdf | |
![]() | 56C1125-A04-002 | 56C1125-A04-002 PHI DIP | 56C1125-A04-002.pdf | |
![]() | BU6341FA | BU6341FA ROHM SMD or Through Hole | BU6341FA.pdf | |
![]() | 0402 474Z 10V Y5V | 0402 474Z 10V Y5V ORIGINAL SMD | 0402 474Z 10V Y5V.pdf |