창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5925B G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5925B G | |
| 관련 링크 | 1N592, 1N5925B G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | S0603-10NJ3E | 10nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 160 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-10NJ3E.pdf | |
![]() | LM234Z-6/LFT7 | LM234Z-6/LFT7 NS SO | LM234Z-6/LFT7.pdf | |
![]() | 617DB-1023P3 | 617DB-1023P3 ORIGINAL SMD or Through Hole | 617DB-1023P3.pdf | |
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![]() | HCNW4503$500 | HCNW4503$500 AVG SMD or Through Hole | HCNW4503$500.pdf | |
![]() | KS58015DTF | KS58015DTF SAMSUNG SOP | KS58015DTF.pdf | |
![]() | 74HC590RM13TR(P/B) | 74HC590RM13TR(P/B) ST 3.9mm-16 | 74HC590RM13TR(P/B).pdf | |
![]() | 983BN-1019 | 983BN-1019 TOKO SMD or Through Hole | 983BN-1019.pdf | |
![]() | CM4532150KSB | CM4532150KSB INDUCTOR SMD or Through Hole | CM4532150KSB.pdf | |
![]() | IPU09N03LA G | IPU09N03LA G INFINEON TO251-3 | IPU09N03LA G.pdf | |
![]() | NRGB330M63V6.3x11F | NRGB330M63V6.3x11F NIC DIP | NRGB330M63V6.3x11F.pdf |