창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5922A G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 3옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5922A G | |
관련 링크 | 1N592, 1N5922A G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
GL080F23CET | 8MHz ±20ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL080F23CET.pdf | ||
SIT9121AI-1CF-33S164.571429T | OSC XO 164.571429MHZ ST | SIT9121AI-1CF-33S164.571429T.pdf | ||
CMF55226K00FEEK | RES 226K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55226K00FEEK.pdf | ||
S29AL008D70BAI01 | S29AL008D70BAI01 SPANSION SMD or Through Hole | S29AL008D70BAI01.pdf | ||
TA8810N (AN) | TA8810N (AN) TOS DIP-54 | TA8810N (AN).pdf | ||
50FHH-SM1-GAN-TF(LF)(SN) | 50FHH-SM1-GAN-TF(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | 50FHH-SM1-GAN-TF(LF)(SN).pdf | ||
ASD10H-48S3 | ASD10H-48S3 MEANWELL SMD or Through Hole | ASD10H-48S3.pdf | ||
QDFX-1500-N-A2 | QDFX-1500-N-A2 NVIDIA BGA | QDFX-1500-N-A2.pdf | ||
SN74AS175ADR | SN74AS175ADR TI/SOP. SMD or Through Hole | SN74AS175ADR.pdf | ||
EPM7192EGI160-12 | EPM7192EGI160-12 EPM PGA | EPM7192EGI160-12.pdf | ||
KID65506P/P | KID65506P/P KEC DIP-16 | KID65506P/P.pdf | ||
SAA5512 | SAA5512 PHI QFP | SAA5512.pdf |