창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5920PE3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5920PE3/TR8 | |
관련 링크 | 1N5920P, 1N5920PE3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ABM8AIG-24.000MHZ-12-2-T3 | 24MHz ±20ppm 수정 12pF 50옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8AIG-24.000MHZ-12-2-T3.pdf | |
![]() | FDB16AN08A0 | MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB | FDB16AN08A0.pdf | |
![]() | RG2012P-4220-W-T5 | RES SMD 422 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-4220-W-T5.pdf | |
![]() | B84112-B-B110 | B84112-B-B110 EPCOS SMD or Through Hole | B84112-B-B110.pdf | |
![]() | KL9H065008CFP | KL9H065008CFP OHKURA QFP | KL9H065008CFP.pdf | |
![]() | BR5008L | BR5008L SEP/ BR-L | BR5008L.pdf | |
![]() | CM3015-28MR | CM3015-28MR CMD MSOP8 | CM3015-28MR.pdf | |
![]() | EPF9480RC208 | EPF9480RC208 ALTERA QFP | EPF9480RC208.pdf | |
![]() | IDT72012A50P | IDT72012A50P IDT SMD or Through Hole | IDT72012A50P.pdf | |
![]() | GTRH16912 | GTRH16912 TI TSSOP56 | GTRH16912.pdf | |
![]() | TG-GW01 | TG-GW01 ZD SMD or Through Hole | TG-GW01.pdf | |
![]() | C8051F300-GOR184 | C8051F300-GOR184 SILICON SMD or Through Hole | C8051F300-GOR184.pdf |