창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5920BUR-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N59xxBUR-1 (aka CDLL9513-56) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AB, MELF | |
공급 장치 패키지 | DO-213AB | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5920BUR-1 | |
관련 링크 | 1N5920, 1N5920BUR-1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | P6KE13CAHE3/73 | TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO204AC | P6KE13CAHE3/73.pdf | |
![]() | STP4NK80ZFP | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220FP | STP4NK80ZFP.pdf | |
![]() | ERA-6YEB302V | RES SMD 3K OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6YEB302V.pdf | |
![]() | PHP00805E2370BST1 | RES SMD 237 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E2370BST1.pdf | |
![]() | SMCG40Ce3/TR13 | SMCG40Ce3/TR13 Microsemi DO-215AB | SMCG40Ce3/TR13.pdf | |
![]() | 02DZ22-Y(TPH3,F) | 02DZ22-Y(TPH3,F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 02DZ22-Y(TPH3,F).pdf | |
![]() | 2SC2347 | 2SC2347 TOSHIBA TO-92 | 2SC2347.pdf | |
![]() | AL02BT1N8 | AL02BT1N8 VIKING SMD or Through Hole | AL02BT1N8.pdf | |
![]() | 1008WL392JT | 1008WL392JT COI-OR-ATC SMD or Through Hole | 1008WL392JT.pdf | |
![]() | GD82559(SL3Q3) | GD82559(SL3Q3) INTEL ORIGINAL | GD82559(SL3Q3).pdf | |
![]() | LE151-12D05 | LE151-12D05 NULL NULL | LE151-12D05.pdf | |
![]() | 225358009807 | 225358009807 YAGEO SMD | 225358009807.pdf |