창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5919P/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5919P/TR8 | |
| 관련 링크 | 1N5919, 1N5919P/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | SM15T12A-E3/9AT | TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC SMC | SM15T12A-E3/9AT.pdf | |
![]() | RR0816P-682-D | RES SMD 6.8K OHM 0.5% 1/16W 0603 | RR0816P-682-D.pdf | |
![]() | ERA-8AEB1541V | RES SMD 1.54K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB1541V.pdf | |
![]() | K4H510838B-ZCB3 | K4H510838B-ZCB3 SAMSUNG FBGA | K4H510838B-ZCB3.pdf | |
![]() | WDC603033-000 | WDC603033-000 ORIGINAL PLCC-28 | WDC603033-000.pdf | |
![]() | NACHO-2429 | NACHO-2429 INTEL QFP160 | NACHO-2429.pdf | |
![]() | PKGS-90LDP1-R | PKGS-90LDP1-R MU SMD or Through Hole | PKGS-90LDP1-R.pdf | |
![]() | RD36JS-AZ/AB2 | RD36JS-AZ/AB2 NEC SMD or Through Hole | RD36JS-AZ/AB2.pdf | |
![]() | 826646-5 | 826646-5 AMP SMD or Through Hole | 826646-5.pdf | |
![]() | GAL26CV12C10LJI | GAL26CV12C10LJI LAT PLCC | GAL26CV12C10LJI.pdf | |
![]() | M37774M5H514GP-NXGSYSS2 | M37774M5H514GP-NXGSYSS2 GSR N A | M37774M5H514GP-NXGSYSS2.pdf |