창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5919P/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5919P/TR12 | |
관련 링크 | 1N5919P, 1N5919P/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 564R6DF0T22XH | 220pF 6000V(6kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 | 564R6DF0T22XH.pdf | |
![]() | 416F37011AKT | 37MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37011AKT.pdf | |
![]() | IRFR220TRPBF | MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK | IRFR220TRPBF.pdf | |
![]() | G2R-1A-E-AC120 | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 120VAC Coil Through Hole | G2R-1A-E-AC120.pdf | |
![]() | P61-500-A-A-I12-5V-C | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P61-500-A-A-I12-5V-C.pdf | |
![]() | 2SK208-Y /JY | 2SK208-Y /JY TOSHIBA SOT-23 | 2SK208-Y /JY.pdf | |
![]() | PT928-6B CAT 7-1 | PT928-6B CAT 7-1 EVERLIGHT Call | PT928-6B CAT 7-1.pdf | |
![]() | TK1-6 V | TK1-6 V NAIS SMD or Through Hole | TK1-6 V.pdf | |
![]() | 2,2UF/25V/10V | 2,2UF/25V/10V NEC A | 2,2UF/25V/10V.pdf | |
![]() | MPSS156-10-C | MPSS156-10-C PANCON SMD or Through Hole | MPSS156-10-C.pdf | |
![]() | N13M-G13-A1 | N13M-G13-A1 NVIDIA BGA | N13M-G13-A1.pdf | |
![]() | JM54AC | JM54AC NATIONALSEMICONDUCTOR NULL | JM54AC.pdf |