창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5919P/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5919P/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5919P, 1N5919P/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
|  | SFH 314 FA-3 | PHOTOTRANSISTOR NPN | SFH 314 FA-3.pdf | |
|  | IMC0402ER4N7S | IMC0402ER4N7S DALE SMD or Through Hole | IMC0402ER4N7S.pdf | |
|  | UPA1911TE-T1 | UPA1911TE-T1 NEC SMD or Through Hole | UPA1911TE-T1.pdf | |
|  | MC14584DR2 | MC14584DR2 ON 3.9MM | MC14584DR2.pdf | |
|  | R65C02J1 | R65C02J1 ORIGINAL PLCC | R65C02J1.pdf | |
|  | TC531001F-E561. | TC531001F-E561. TOSHIBA SOP-32 | TC531001F-E561..pdf | |
|  | IRKJ41-08 | IRKJ41-08 IR SMD or Through Hole | IRKJ41-08.pdf | |
|  | SE291 | SE291 DESNO QFP | SE291.pdf | |
|  | PPNR545338 | PPNR545338 ST TQFP-64 | PPNR545338.pdf | |
|  | TC9125 | TC9125 TOSHIBA DIP | TC9125.pdf | |
|  | FX709J | FX709J CML CDIP28 | FX709J.pdf | |
|  | ECS-F0JE476 | ECS-F0JE476 PANASONIC DIP | ECS-F0JE476.pdf |