창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5919BRLG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913B Series | |
PCN 설계/사양 | Datasheet Update 14/Aug/2008 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
표준 포장 | 6,000 | |
다른 이름 | 1N5919BRLG-ND 1N5919BRLGOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5919BRLG | |
관련 링크 | 1N5919, 1N5919BRLG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
LP122F35IET | 12.288MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP122F35IET.pdf | ||
1812-101G | 100nH Unshielded Inductor 818mA 300 mOhm Max 2-SMD | 1812-101G.pdf | ||
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CRCW120634K8FKEB | RES SMD 34.8K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW120634K8FKEB.pdf | ||
RNF12FTD768K | RES 768K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD768K.pdf | ||
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1DI300MN050 | 1DI300MN050 FUJI SMD or Through Hole | 1DI300MN050.pdf | ||
C1005CH1H0R5DC | C1005CH1H0R5DC TDKMURATATAIYO SMD or Through Hole | C1005CH1H0R5DC.pdf | ||
A6139LG | A6139LG ORIGINAL SMD or Through Hole | A6139LG.pdf | ||
SFM210-LPSE-D10-SP-BK | SFM210-LPSE-D10-SP-BK Sullins SMD or Through Hole | SFM210-LPSE-D10-SP-BK.pdf |