창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5919B G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5919B G | |
관련 링크 | 1N591, 1N5919B G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 885012108004 | 47µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 885012108004.pdf | |
![]() | 0451001.MRL | FUSE BRD MNT 1A 125VAC/VDC 2SMD | 0451001.MRL.pdf | |
![]() | 1N6025A | DIODE ZENER 110V 500MW DO35 | 1N6025A.pdf | |
![]() | 3094-123JS | 12µH Unshielded Inductor 118mA 3.6 Ohm Max 2-SMD | 3094-123JS.pdf | |
![]() | ERJ-S08J912V | RES SMD 9.1K OHM 5% 1/4W 1206 | ERJ-S08J912V.pdf | |
![]() | CMF652M0000FKR6 | RES 2M OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF652M0000FKR6.pdf | |
![]() | T221N14TOF | T221N14TOF infineon/EUPEC SMD or Through Hole | T221N14TOF.pdf | |
![]() | ML6209B602PRG | ML6209B602PRG MDC SOT-89-5L | ML6209B602PRG.pdf | |
![]() | HY25D256160BC | HY25D256160BC INF BGA | HY25D256160BC.pdf | |
![]() | MMBD2838LT1-ON | MMBD2838LT1-ON ON SMD or Through Hole | MMBD2838LT1-ON.pdf | |
![]() | 4732256180400 | 4732256180400 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4732256180400.pdf | |
![]() | HYB39S64800AT/BT/CT-8/7.5 | HYB39S64800AT/BT/CT-8/7.5 MEMORY SMD | HYB39S64800AT/BT/CT-8/7.5.pdf |