창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5919AP/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5919AP/TR12 | |
관련 링크 | 1N5919A, 1N5919AP/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | CMR04E750FPDP | CMR MICA | CMR04E750FPDP.pdf | |
![]() | SPM3012T-1R0M-LR | 1µH Shielded Wirewound Inductor 3.4A 59.4 mOhm Max Nonstandard | SPM3012T-1R0M-LR.pdf | |
![]() | RS485(215RSA4ALA12FG) | RS485(215RSA4ALA12FG) ATI BGA | RS485(215RSA4ALA12FG).pdf | |
![]() | BZW07-102 | BZW07-102 ST/FAGOR DO-15 | BZW07-102.pdf | |
![]() | SB358G | SB358G TSC SMD or Through Hole | SB358G.pdf | |
![]() | 1206-102K-104K/1KV | 1206-102K-104K/1KV UTC SMD or Through Hole | 1206-102K-104K/1KV.pdf | |
![]() | EDD51163CBH-6DLS-F | EDD51163CBH-6DLS-F ELPIDA BGA | EDD51163CBH-6DLS-F.pdf | |
![]() | TCD41S1DN0 | TCD41S1DN0 UPEK BGA | TCD41S1DN0.pdf | |
![]() | P6NG-0512E2:1H30LF | P6NG-0512E2:1H30LF PEAK SIP | P6NG-0512E2:1H30LF.pdf | |
![]() | PM75DSA120-302 | PM75DSA120-302 MITSUBISHI SMD or Through Hole | PM75DSA120-302.pdf | |
![]() | HIP239B | HIP239B H SOP24 | HIP239B.pdf |