창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5919AE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5919AE3/TR13 | |
관련 링크 | 1N5919AE, 1N5919AE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | CDR125NP-120MC | 12µH Shielded Inductor 2.5A 50 mOhm Max Nonstandard | CDR125NP-120MC.pdf | |
![]() | RW2S0DA150RJE | RES SMD 150 OHM 5% 2W J LEAD | RW2S0DA150RJE.pdf | |
![]() | RT0805BRE07102KL | RES SMD 102K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE07102KL.pdf | |
![]() | Y1625191R490Q0W | RES SMD 191.49 OHM 0.3W 1206 | Y1625191R490Q0W.pdf | |
![]() | AT28C16DC | AT28C16DC AT DIP | AT28C16DC.pdf | |
![]() | W25X10AVSNIG,0,1E | W25X10AVSNIG,0,1E WINBOND SMD or Through Hole | W25X10AVSNIG,0,1E.pdf | |
![]() | IORF7105 | IORF7105 ORIGINAL SOP8 | IORF7105.pdf | |
![]() | LF357P | LF357P ORIGINAL SOP-8 | LF357P.pdf | |
![]() | BL-BST204V-1-AB-FBR7-LC20 | BL-BST204V-1-AB-FBR7-LC20 BRIGHT ROHS | BL-BST204V-1-AB-FBR7-LC20.pdf | |
![]() | 4B06B-DF1-160LF**MN-FLEX | 4B06B-DF1-160LF**MN-FLEX BOURNS SMD or Through Hole | 4B06B-DF1-160LF**MN-FLEX.pdf | |
![]() | SMJ34020AGBM40 596 | SMJ34020AGBM40 596 N/A PGA | SMJ34020AGBM40 596.pdf | |
![]() | GF3 T1200 A5 | GF3 T1200 A5 NVIDIA BGA | GF3 T1200 A5.pdf |