창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5918BUR-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N59xxBUR-1 (aka CDLL9513-56) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AB, MELF | |
공급 장치 패키지 | DO-213AB | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5918BUR-1 | |
관련 링크 | 1N5918, 1N5918BUR-1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
MAL225638332E3 | 3300µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 121 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | MAL225638332E3.pdf | ||
1N4006TA | DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 | 1N4006TA.pdf | ||
ISO7220MD | General Purpose Digital Isolator 2500Vrms 2 Channel 150Mbps 25kV/µs CMTI 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | ISO7220MD.pdf | ||
68UF250V13*25 16*22 | 68UF250V13*25 16*22 ORIGINAL SMD or Through Hole | 68UF250V13*25 16*22.pdf | ||
SA575DTBG | SA575DTBG ON MSOP-20 | SA575DTBG.pdf | ||
LP8345IDTX-5.0 | LP8345IDTX-5.0 NS TO-252 | LP8345IDTX-5.0.pdf | ||
FA1L3N-T2B/L82 | FA1L3N-T2B/L82 NEC SOT-23 | FA1L3N-T2B/L82.pdf | ||
S29GL256N11FFIV13 | S29GL256N11FFIV13 SPANSION BGA | S29GL256N11FFIV13.pdf | ||
MAX4684ETB-TS | MAX4684ETB-TS MAXIM SOT23 | MAX4684ETB-TS.pdf | ||
MIC035874 | MIC035874 MICROCHI SOP8 | MIC035874.pdf | ||
CPI2016NHL3R3ME | CPI2016NHL3R3ME SAMWHA SMD | CPI2016NHL3R3ME.pdf |