창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5918BP/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5918BP/TR12 | |
관련 링크 | 1N5918B, 1N5918BP/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | Y1745150R000F9L | RES SMD 150 OHM 1% 1/4W J LEAD | Y1745150R000F9L.pdf | |
![]() | AGL015V2-QNG68I | AGL015V2-QNG68I ACTEL SMD or Through Hole | AGL015V2-QNG68I.pdf | |
![]() | ISL6238CLZ | ISL6238CLZ INTERSIL QFN | ISL6238CLZ.pdf | |
![]() | BZX84C15LT1G(Y4) | BZX84C15LT1G(Y4) ON SOT-23 | BZX84C15LT1G(Y4).pdf | |
![]() | 150uf2.5V10%A | 150uf2.5V10%A avetron SMD or Through Hole | 150uf2.5V10%A.pdf | |
![]() | DF2S6.8UCT | DF2S6.8UCT TOSHIBA CST2 | DF2S6.8UCT.pdf | |
![]() | H11A1V-M | H11A1V-M ORIGINAL SMD or Through Hole | H11A1V-M.pdf | |
![]() | ESI-5BBL0906M01-T | ESI-5BBL0906M01-T HITACHI SMD or Through Hole | ESI-5BBL0906M01-T.pdf | |
![]() | MAX792MCPE+ | MAX792MCPE+ MAX Call | MAX792MCPE+.pdf | |
![]() | OV534-B640G | OV534-B640G N/A BGA | OV534-B640G.pdf | |
![]() | TB9339FQ | TB9339FQ TOS QFP | TB9339FQ.pdf | |
![]() | RE3-25V472M | RE3-25V472M ELNA DIP | RE3-25V472M.pdf |