창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5917D G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±1% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5917D G | |
관련 링크 | 1N591, 1N5917D G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | EKMS181VSN102MP45S | 1000µF 180V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | EKMS181VSN102MP45S.pdf | |
![]() | AST3TQ53-V-10.000MHZ-2-C-T2 | 10MHz LVCMOS VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 6mA | AST3TQ53-V-10.000MHZ-2-C-T2.pdf | |
![]() | CGRB202-G | DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA | CGRB202-G.pdf | |
![]() | FCH190N65F_F085 | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247 | FCH190N65F_F085.pdf | |
![]() | CEP125NP-0R3NC-U | 350nH Shielded Wirewound Inductor 18.5A 1.8 mOhm Max Nonstandard | CEP125NP-0R3NC-U.pdf | |
![]() | AO7424 | AO7424 TI DIP | AO7424.pdf | |
![]() | UREE8-287A | UREE8-287A ALPS SMD or Through Hole | UREE8-287A.pdf | |
![]() | APE1705PR-33 | APE1705PR-33 APEC TO220-5L-R | APE1705PR-33.pdf | |
![]() | 351RA80 | 351RA80 IR SMD or Through Hole | 351RA80.pdf | |
![]() | L5A9323 | L5A9323 LSI QFP160 | L5A9323.pdf | |
![]() | XLBXX0312-LSD-TEST3S9B90-01B-5P | XLBXX0312-LSD-TEST3S9B90-01B-5P ORIGINAL SMD or Through Hole | XLBXX0312-LSD-TEST3S9B90-01B-5P.pdf | |
![]() | UF3BB | UF3BB BL SMB DO-214AA | UF3BB.pdf |