창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5916E3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 1.5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 6옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5916E3/TR13 | |
| 관련 링크 | 1N5916E, 1N5916E3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MUBW50-06A7 | MODULE IGBT CBI E2 | MUBW50-06A7.pdf | |
![]() | MLG1005S1N2CT000 | 1.2nH Unshielded Multilayer Inductor 1A 100 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S1N2CT000.pdf | |
![]() | RP73PF2A143KBTDF | RES SMD 143K OHM 0.1% 1/4W 0805 | RP73PF2A143KBTDF.pdf | |
![]() | MCR10ERTF59R0 | RES SMD 59 OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF59R0.pdf | |
![]() | CRCW0603100RDKEAP | RES SMD 100 OHM 0.5% 1/10W 0603 | CRCW0603100RDKEAP.pdf | |
![]() | PAFLEX-3.00/50400000 | PAFLEX-3.00/50400000 MALAYSIA QFP80 | PAFLEX-3.00/50400000.pdf | |
![]() | B1100CA | B1100CA ORIGINAL DO-214AA | B1100CA.pdf | |
![]() | ACMP-7602-TR1 | ACMP-7602-TR1 AVAGO SMD or Through Hole | ACMP-7602-TR1.pdf | |
![]() | IR2237Q | IR2237Q IR QFP | IR2237Q.pdf | |
![]() | MB88PV620B | MB88PV620B ORIGINAL DIP | MB88PV620B.pdf | |
![]() | IH5012MJE/883 | IH5012MJE/883 INTERSIL DIP | IH5012MJE/883.pdf | |
![]() | NIN-FBR56KTRF | NIN-FBR56KTRF NIC SMD | NIN-FBR56KTRF.pdf |