창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5915P/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 7.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5915P/TR8 | |
관련 링크 | 1N5915, 1N5915P/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 445C25H25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 32pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C25H25M00000.pdf | |
![]() | DMN10H120SFG-7 | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | DMN10H120SFG-7.pdf | |
![]() | AIMC-0805-8N2J-T | 8.2nH Unshielded Multilayer Inductor 400mA 280 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | AIMC-0805-8N2J-T.pdf | |
![]() | E3Z-D81-J0SHW-CN | SENSOR PHOTOELECTRIC 5-100MM M8 | E3Z-D81-J0SHW-CN.pdf | |
![]() | MNC13-5K521B | MNC13-5K521B GF SMD or Through Hole | MNC13-5K521B.pdf | |
![]() | T498A155M020ZTE5K2 | T498A155M020ZTE5K2 KEMET SMD or Through Hole | T498A155M020ZTE5K2.pdf | |
![]() | D7516HCW-269 | D7516HCW-269 NEC DIP | D7516HCW-269.pdf | |
![]() | C1608X5R1C474KT000N | C1608X5R1C474KT000N TDK SMD or Through Hole | C1608X5R1C474KT000N.pdf | |
![]() | PF32G32PANC1 | PF32G32PANC1 INTEL BGA | PF32G32PANC1.pdf | |
![]() | EEFUE0G271R | EEFUE0G271R PANASONIC SMD | EEFUE0G271R.pdf | |
![]() | ACWH303010AZ-c | ACWH303010AZ-c ORIGINAL SMD or Through Hole | ACWH303010AZ-c.pdf | |
![]() | R1WV6416RSA-7SR | R1WV6416RSA-7SR Renesas TSOP(48) | R1WV6416RSA-7SR.pdf |