창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5915B G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 7.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5915B G | |
| 관련 링크 | 1N591, 1N5915B G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | LQW2BAS6N8J00L | 6.8nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 110 mOhm Max 0806 (2015 Metric) | LQW2BAS6N8J00L.pdf | |
![]() | 94R | 94R N/A SOT143 | 94R.pdf | |
![]() | MMSZ5225BT/R/C5 | MMSZ5225BT/R/C5 PANJIT SOD-123 | MMSZ5225BT/R/C5.pdf | |
![]() | CD12E2GA222MYNS | CD12E2GA222MYNS TDK//dkcdigikeycom/PDF/TW-/pdf TDKw tdk com tw ctl pdf ctl 7 4 1 pdf | CD12E2GA222MYNS.pdf | |
![]() | ADC-300 | ADC-300 na DIP | ADC-300.pdf | |
![]() | 450V | 450V ORIGINAL SMD or Through Hole | 450V.pdf | |
![]() | OPA549SG3 | OPA549SG3 TEXASINSTRUMENTS TO-220-11 | OPA549SG3.pdf | |
![]() | B13B-ZR-SM4-TF | B13B-ZR-SM4-TF JST SMD or Through Hole | B13B-ZR-SM4-TF.pdf | |
![]() | 8506503SA | 8506503SA NONE MIL | 8506503SA.pdf | |
![]() | 2SB1021 | 2SB1021 TOS TO-220F | 2SB1021.pdf | |
![]() | MHW851-3c | MHW851-3c MOTO SMD or Through Hole | MHW851-3c.pdf | |
![]() | D-33UF/10V | D-33UF/10V N/A D-33UF10V | D-33UF/10V.pdf |