창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5914C G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 9옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 75µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5914C G | |
| 관련 링크 | 1N591, 1N5914C G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D750GXBAT | 75pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D750GXBAT.pdf | |
![]() | FA-238 25.0000MB-K0 | 25MHz ±50ppm 수정 10pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238 25.0000MB-K0.pdf | |
| LQW31HN56NJ03L | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 330mA 140 mOhm Max 1206 (3216 Metric) | LQW31HN56NJ03L.pdf | ||
![]() | RG3216V-7150-D-T5 | RES SMD 715 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216V-7150-D-T5.pdf | |
![]() | AMCA52-2R710G-S1F-T4 | 2.7GHz WiMax™, WLAN Chip RF Antenna 2.61GHz ~ 2.81GHz 2.5dBi Solder Surface Mount | AMCA52-2R710G-S1F-T4.pdf | |
![]() | EL2006CG | EL2006CG ORIGINAL CAN | EL2006CG .pdf | |
![]() | 15-28-6242 | 15-28-6242 MOLEX ORIGINAL | 15-28-6242.pdf | |
![]() | CU0G151MCAANG | CU0G151MCAANG SANYO SMD or Through Hole | CU0G151MCAANG.pdf | |
![]() | M5102 | M5102 ORIGINAL TO-3 | M5102.pdf | |
![]() | S9S08DV96F2VLL | S9S08DV96F2VLL FREESCALE LQFP100 | S9S08DV96F2VLL.pdf | |
![]() | J418 | J418 SANYO TO252 | J418.pdf | |
![]() | 2SJ6820A | 2SJ6820A FAI T03P-3 | 2SJ6820A.pdf |