창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5913P/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5913BG-1N5956BG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5913P/TR8 | |
관련 링크 | 1N5913, 1N5913P/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | CC0805JRNPO9BN182 | 1800pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CC0805JRNPO9BN182.pdf | |
![]() | GRM1885C2A3R8CZ01D | 3.8pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C2A3R8CZ01D.pdf | |
![]() | SIT1602BC-31-33E-10.000000X | 10MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602BC-31-33E-10.000000X.pdf | |
![]() | PTN1206E9760BST1 | RES SMD 976 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E9760BST1.pdf | |
![]() | 93C46MK | 93C46MK CSI SOP8W | 93C46MK.pdf | |
![]() | AD7672AQ-10 | AD7672AQ-10 AD DIP | AD7672AQ-10.pdf | |
![]() | AD8542ARZG4-REEL7 | AD8542ARZG4-REEL7 AD Original | AD8542ARZG4-REEL7.pdf | |
![]() | 65-171-D47R | 65-171-D47R GCELECTRONICS SMD or Through Hole | 65-171-D47R.pdf | |
![]() | EKZG6R3ETD152MJC5S | EKZG6R3ETD152MJC5S Chemi-con NA | EKZG6R3ETD152MJC5S.pdf | |
![]() | MBR2515LG. | MBR2515LG. ONSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | MBR2515LG..pdf | |
![]() | S3C8235B22-ET85 | S3C8235B22-ET85 SAMSUNG QFP | S3C8235B22-ET85.pdf | |
![]() | FKP1-681J1600dc | FKP1-681J1600dc WIMA SMD or Through Hole | FKP1-681J1600dc.pdf |