창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5833R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5832~5834R DO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키, 역극성 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 -평균 정류(Io) | 40A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 550mV @ 40A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 20mA @ 10V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | 1N5833RGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5833R | |
관련 링크 | 1N58, 1N5833R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
B43601A2337M | 330µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 290 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43601A2337M.pdf | ||
VJ1825A560KBEAT4X | 56pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A560KBEAT4X.pdf | ||
CMF6584K500FKR6 | RES 84.5K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF6584K500FKR6.pdf | ||
E-TA2012 T 10DB N1 | RF Attenuator 10dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 10DB N1.pdf | ||
ET1-1T-SM1TR | ET1-1T-SM1TR M/A-COM SMD | ET1-1T-SM1TR.pdf | ||
SY100S325FC | SY100S325FC MICREL CERPAC.. | SY100S325FC.pdf | ||
AN8002AO | AN8002AO PANAS DIP20 | AN8002AO.pdf | ||
2434HTS | 2434HTS SC TSSOP | 2434HTS.pdf | ||
MAX874APA | MAX874APA MAX SMD or Through Hole | MAX874APA.pdf | ||
MN195004MFN1 | MN195004MFN1 PANASONIC QFP | MN195004MFN1.pdf | ||
S3F84K4XZZSK94 | S3F84K4XZZSK94 SAMSUNG SOP | S3F84K4XZZSK94.pdf | ||
F160S3B-L10A | F160S3B-L10A SHARP BGA | F160S3B-L10A.pdf |