창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5832R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5832~5834R DO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키, 역극성 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
전류 -평균 정류(Io) | 40A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 520mV @ 40A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 20mA @ 10V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-5 | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | 1N5832RGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5832R | |
관련 링크 | 1N58, 1N5832R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
SCRH127B-821 | 820µH Shielded Inductor 680mA 1.64 Ohm Max Nonstandard | SCRH127B-821.pdf | ||
J13009-1 TO220 | J13009-1 TO220 ORIGINAL TO220 | J13009-1 TO220.pdf | ||
ZPSD312-B-90MI | ZPSD312-B-90MI WSI QFP-44L | ZPSD312-B-90MI.pdf | ||
CT0603CSF-10NG | CT0603CSF-10NG CENTRAL SMD | CT0603CSF-10NG.pdf | ||
CMPZ4689 TR | CMPZ4689 TR CENTRAL SOT-23 | CMPZ4689 TR.pdf | ||
RN5VL17AA(A7) | RN5VL17AA(A7) RICOH SOT153 | RN5VL17AA(A7).pdf | ||
MBM29DL324TE90PFTN | MBM29DL324TE90PFTN FUJITSU SMD or Through Hole | MBM29DL324TE90PFTN.pdf | ||
PE68052T | PE68052T PULSE SMD or Through Hole | PE68052T.pdf | ||
KMMR18R88AC1-RG6 | KMMR18R88AC1-RG6 SAMSUNG SMD or Through Hole | KMMR18R88AC1-RG6.pdf | ||
TMP87CM21F-5FB5 | TMP87CM21F-5FB5 TOSHIBA QFP | TMP87CM21F-5FB5.pdf | ||
OR3L165B7BA352I-DB | OR3L165B7BA352I-DB Lattice BGA352 | OR3L165B7BA352I-DB.pdf | ||
KM4216V256G-50 | KM4216V256G-50 SAMSUNG TSOP | KM4216V256G-50.pdf |