창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5831 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5829~5831R DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 35V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 25A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 580mV @ 25A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2mA @ 20V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-4 | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 다른 이름 | 1N5831GN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5831 | |
| 관련 링크 | 1N5, 1N5831 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
| UHE0J331MED1TA | 330µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C | UHE0J331MED1TA.pdf | ||
![]() | TS480T33CDT | 48MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS480T33CDT.pdf | |
![]() | CRGH0603J3R3 | RES SMD 3.3 OHM 5% 1/5W 0603 | CRGH0603J3R3.pdf | |
![]() | IM4A3-128/64-55VNC-7VNI | IM4A3-128/64-55VNC-7VNI LATTICE QFP | IM4A3-128/64-55VNC-7VNI.pdf | |
![]() | SIL50552F | SIL50552F SILICON QFP | SIL50552F.pdf | |
![]() | ME6206A28M | ME6206A28M ORIGINAL SOT23-3 | ME6206A28M.pdf | |
![]() | CAT24WC256W-TE | CAT24WC256W-TE CATALYST SMD or Through Hole | CAT24WC256W-TE.pdf | |
![]() | VN460SP13TR | VN460SP13TR STMICRO-SGS-THOMSO SMD or Through Hole | VN460SP13TR.pdf | |
![]() | FQV245LB15PF | FQV245LB15PF HBA TQFP64 | FQV245LB15PF.pdf | |
![]() | 49FCT805BTQ | 49FCT805BTQ IDT SMD | 49FCT805BTQ.pdf | |
![]() | 2SK3906,2SK2611,2SK2746,2SK851 | 2SK3906,2SK2611,2SK2746,2SK851 TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SK3906,2SK2611,2SK2746,2SK851.pdf | |
![]() | IL-S-6S-S2C2-S | IL-S-6S-S2C2-S JAE SMD or Through Hole | IL-S-6S-S2C2-S.pdf |