창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5829R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5829~5831R DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키, 역극성 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
전류 -평균 정류(Io) | 25A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 580mV @ 25A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2mA @ 20V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-4 | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | 1N5829RGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5829R | |
관련 링크 | 1N58, 1N5829R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
50PFV68M8X10.5 | 68µF 50V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 30 mOhm 4000 Hrs @ 125°C | 50PFV68M8X10.5.pdf | ||
CZRU52C20-HF | DIODE ZENER 20V 150MW 0603 | CZRU52C20-HF.pdf | ||
4379-473JS | 47µH Shielded Inductor 125mA 3.2 Ohm Max 2-SMD | 4379-473JS.pdf | ||
Y1442588R000A0L | RES 588 OHM 1/2W 0.05% RADIAL | Y1442588R000A0L.pdf | ||
NJM3717D3 | NJM3717D3 JRC DIP | NJM3717D3.pdf | ||
B32227J1104M | B32227J1104M TDK-EPC SMD or Through Hole | B32227J1104M.pdf | ||
LTC6930HMS8-8.00PBF | LTC6930HMS8-8.00PBF ORIGINAL SMD or Through Hole | LTC6930HMS8-8.00PBF.pdf | ||
TA20201803DH | TA20201803DH Powerex Module | TA20201803DH.pdf | ||
NLC50V22UF | NLC50V22UF Samyoung CAPACITOR AL 22uF M | NLC50V22UF.pdf | ||
MB15F02LPV1GEF | MB15F02LPV1GEF FUJITSU SMD or Through Hole | MB15F02LPV1GEF.pdf |