창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5826R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5826~5828R DO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키, 역극성 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 15A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 440mV @ 15A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10mA @ 20V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
| 패키지/케이스 | DO-203AB, DO-5, 스터드 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-5 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 다른 이름 | 1N5826RGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5826R | |
| 관련 링크 | 1N58, 1N5826R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CDST-19-G | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23 | CDST-19-G.pdf | |
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![]() | MM1181ZMR | MM1181ZMR MIT SO-4 | MM1181ZMR.pdf | |
![]() | 89883-310LF | 89883-310LF FCI SMD or Through Hole | 89883-310LF.pdf | |
![]() | MAX1946ETA+-MAXIM | MAX1946ETA+-MAXIM ORIGINAL SMD or Through Hole | MAX1946ETA+-MAXIM.pdf | |
![]() | 74VHC08BQ,115 | 74VHC08BQ,115 NXP SOT762 | 74VHC08BQ,115.pdf |