창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5821-T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5820-822 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1586 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 500mV @ 3A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2mA @ 30V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-201AD, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | DO-201AD | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 1,200 | |
다른 이름 | 1N5821DITR 1N5821T 1N5821TR 1N5821TR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5821-T | |
관련 링크 | 1N58, 1N5821-T 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | RG3216V-3002-B-T5 | RES SMD 30K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216V-3002-B-T5.pdf | |
![]() | 71V256SA12YG8 | 71V256SA12YG8 IDT SMD or Through Hole | 71V256SA12YG8.pdf | |
![]() | 1005R2 R22 | 1005R2 R22 N/A SMD | 1005R2 R22.pdf | |
![]() | SN65LVDS1DBV | SN65LVDS1DBV TI SMD or Through Hole | SN65LVDS1DBV.pdf | |
![]() | CAN4311113011582K | CAN4311113011582K YAGEO PBFREE | CAN4311113011582K.pdf | |
![]() | SPX29150T-2.5V | SPX29150T-2.5V SIPEX TO263 | SPX29150T-2.5V.pdf | |
![]() | TMS320LF2402APGEA | TMS320LF2402APGEA TI SMD or Through Hole | TMS320LF2402APGEA.pdf | |
![]() | GBJ1005 | GBJ1005 LITEON/SEP/PANJIT SMD or Through Hole | GBJ1005.pdf | |
![]() | 528312610 | 528312610 MOLEX SMD or Through Hole | 528312610.pdf | |
![]() | TC55VCM316BTGN55 | TC55VCM316BTGN55 TOSHIBA QFP | TC55VCM316BTGN55.pdf | |
![]() | IRG4PH30F | IRG4PH30F ORIGINAL IGBT | IRG4PH30F.pdf | |
![]() | TMCMB0G336MTRF | TMCMB0G336MTRF HITACHI SMD | TMCMB0G336MTRF.pdf |