창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5820G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5820-5822 | |
| 카탈로그 페이지 | 1562 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 475mV @ 3A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2mA @ 20V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-201AA, DO-27, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-201AD | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 125°C | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | 1N5820G-ND 1N5820GOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5820G | |
| 관련 링크 | 1N58, 1N5820G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
|  | 445C3XE16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XE16M00000.pdf | |
|  | SII1390CTU | SII1390CTU ORIGINAL TQFP-64P | SII1390CTU.pdf | |
|  | 31974R | 31974R WE-MIDCOM SMD | 31974R.pdf | |
|  | M5M28FB800VP-12I | M5M28FB800VP-12I MIT TSSOP | M5M28FB800VP-12I.pdf | |
|  | LG209D | LG209D KODENSHI SMD or Through Hole | LG209D.pdf | |
|  | LC33832P-70 | LC33832P-70 SAN SMD or Through Hole | LC33832P-70.pdf | |
|  | 528922495 | 528922495 MOLEX SMD or Through Hole | 528922495.pdf | |
|  | BB202 PHI (L2) 0603 | BB202 PHI (L2) 0603 PHI SMD or Through Hole | BB202 PHI (L2) 0603.pdf | |
|  | K9925 | K9925 ORIGINAL SOP8 | K9925.pdf | |
|  | SFAF801G | SFAF801G ORIGINAL SMD or Through Hole | SFAF801G.pdf | |
|  | T356L187M010AS | T356L187M010AS KEMET DIP | T356L187M010AS.pdf | |
|  | 2222 682 09478 | 2222 682 09478 PHILIPS SMD or Through Hole | 2222 682 09478.pdf |