창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5819-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5817-G thru 1N5819-G Datasheet | |
PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Comchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 600mV @ 1A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 40V | |
정전 용량 @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-41 | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 641-1466-3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5819-G | |
관련 링크 | 1N58, 1N5819-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 |
![]() | 6LS331KNECM | 330pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | 6LS331KNECM.pdf | |
![]() | ERA-1AEB2610C | RES SMD 261 OHM 0.1% 1/20W 0201 | ERA-1AEB2610C.pdf | |
![]() | HMC-MDB277-SX | RF Mixer IC Radar Up/Down Converter 70GHz ~ 90GHz Die | HMC-MDB277-SX.pdf | |
![]() | SFR942PY001 | SFR942PY001 Samsung QFN-10 | SFR942PY001.pdf | |
![]() | 1812HC122MAT1A-122M3000V | 1812HC122MAT1A-122M3000V AVX 1812 | 1812HC122MAT1A-122M3000V.pdf | |
![]() | D2SBA-40 | D2SBA-40 ORIGINAL SMD or Through Hole | D2SBA-40.pdf | |
![]() | UPD17228GT-402 | UPD17228GT-402 NEC SOP28 | UPD17228GT-402.pdf | |
![]() | 4128BV6 | 4128BV6 ST SOP-8 | 4128BV6.pdf | |
![]() | MAX8654ETX+T | MAX8654ETX+T MAXIM SMD or Through Hole | MAX8654ETX+T.pdf | |
![]() | GTL2010BS.118 | GTL2010BS.118 NXP SMD or Through Hole | GTL2010BS.118.pdf | |
![]() | S-89179AN-DG | S-89179AN-DG ORIGINAL SMD | S-89179AN-DG.pdf | |
![]() | SiT8002AI-23-XXX-000.FP000 | SiT8002AI-23-XXX-000.FP000 SiTime 3225 | SiT8002AI-23-XXX-000.FP000.pdf |