창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5817G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5817-5819 Datasheet | |
카탈로그 페이지 | 1562 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 450mV @ 1A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 125°C | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 1N5817G-ND 1N5817GOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5817G | |
관련 링크 | 1N58, 1N5817G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | DHRB34C681M2BB | 680pF 15000V(15kV) 세라믹 커패시터 B 방사형, 디스크 0.591" Dia(15.00mm) | DHRB34C681M2BB.pdf | |
![]() | S1210R-152K | 1.5µH Shielded Inductor 532mA 570 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | S1210R-152K.pdf | |
![]() | RG1005N-752-D-T10 | RES SMD 7.5K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005N-752-D-T10.pdf | |
![]() | PHP00805E8870BBT1 | RES SMD 887 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E8870BBT1.pdf | |
![]() | 220AXW150M14.5X30 | 220AXW150M14.5X30 RUBYCON DIP | 220AXW150M14.5X30.pdf | |
![]() | 3043532 | 3043532 ORIGINAL SOP-8 | 3043532.pdf | |
![]() | 2SC2738 | 2SC2738 ORIGINAL SSOP8 | 2SC2738.pdf | |
![]() | TL7705BM | TL7705BM ORIGINAL SMD or Through Hole | TL7705BM.pdf | |
![]() | R210CH04CJ0 | R210CH04CJ0 WESTCODE MODULE | R210CH04CJ0.pdf | |
![]() | MBM29DL640E90TN | MBM29DL640E90TN FUJITSU STOCK | MBM29DL640E90TN.pdf | |
![]() | G5PE-1-DC12 | G5PE-1-DC12 OMRON SMD or Through Hole | G5PE-1-DC12.pdf | |
![]() | E6SB20.0000F20E33 | E6SB20.0000F20E33 ORIGINAL DIP | E6SB20.0000F20E33.pdf |