창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5757C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5728A,B,C,D-1N5757A,B,C,D-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 75V | |
허용 오차 | ±1% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 255옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 53V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5757C | |
관련 링크 | 1N57, 1N5757C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | M34350N6-010SP | M34350N6-010SP MIT DIP-52P | M34350N6-010SP.pdf | |
![]() | K4T511630 | K4T511630 SAMSUNG BGA | K4T511630.pdf | |
![]() | RSA30LTE | RSA30LTE ROHM PMDS | RSA30LTE.pdf | |
![]() | 2SC4983-6-TB | 2SC4983-6-TB SANYO SOT23-3 | 2SC4983-6-TB.pdf | |
![]() | 80EPF12 | 80EPF12 IR TO-247 | 80EPF12.pdf | |
![]() | STC89LE54RD+40C | STC89LE54RD+40C STC SMD or Through Hole | STC89LE54RD+40C.pdf | |
![]() | 74F563N | 74F563N Signetics DIP20 | 74F563N.pdf | |
![]() | IDCM | IDCM TYCO SMD or Through Hole | IDCM.pdf | |
![]() | UUG2W100MNL6ZD | UUG2W100MNL6ZD nichicon SMD | UUG2W100MNL6ZD.pdf | |
![]() | NQ83C95/E | NQ83C95/E SEEQ PLCC | NQ83C95/E.pdf | |
![]() | MB95005-001 | MB95005-001 FUJISTU BGA | MB95005-001.pdf | |
![]() | ICL8001CCTX | ICL8001CCTX INTERSIL CAN | ICL8001CCTX.pdf |