창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5745D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5728A,B,C,D-1N5757A,B,C,D-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 70옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 17V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5745D | |
| 관련 링크 | 1N57, 1N5745D 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | DFE252012F-6R8M=P2 | 6.8µH Shielded Inductor 1.2A 330 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | DFE252012F-6R8M=P2.pdf | |
![]() | DS10BR254TSQ NOPB | DS10BR254TSQ NOPB NS usd6.25 | DS10BR254TSQ NOPB.pdf | |
![]() | S101RET5007L | S101RET5007L SWCC DIP | S101RET5007L.pdf | |
![]() | FTP- 628MCL101#50R | FTP- 628MCL101#50R Fujitsu SMD or Through Hole | FTP- 628MCL101#50R.pdf | |
![]() | P6CUI-121515ZLF | P6CUI-121515ZLF PEAK SMD or Through Hole | P6CUI-121515ZLF.pdf | |
![]() | 30SCLJQ045 | 30SCLJQ045 IR SMD-0.5 | 30SCLJQ045.pdf | |
![]() | AEPA | AEPA NO SMD or Through Hole | AEPA.pdf | |
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![]() | MSP4440K-QA-D6-500 | MSP4440K-QA-D6-500 ORIGINAL SMD or Through Hole | MSP4440K-QA-D6-500.pdf | |
![]() | 10H519DM | 10H519DM N/A CDIP | 10H519DM.pdf | |
![]() | 7805-TO-220 | 7805-TO-220 ST TO-220 | 7805-TO-220.pdf | |
![]() | US112NL-4 TO-220 | US112NL-4 TO-220 UTC TO220 | US112NL-4 TO-220.pdf |