창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5744C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5728A,B,C,D-1N5757A,B,C,D-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 22V | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 55옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 15V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5744C | |
| 관련 링크 | 1N57, 1N5744C 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | IMC0603ERR18J01 | 180nH Unshielded Wirewound Inductor 240mA 1.25 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | IMC0603ERR18J01.pdf | |
![]() | 990000761_ | 990000761_ CHIMEI SMD or Through Hole | 990000761_.pdf | |
![]() | DPA426R-YLPOWER | DPA426R-YLPOWER POWER DIP | DPA426R-YLPOWER.pdf | |
![]() | SN7490AJ | SN7490AJ TI DIP | SN7490AJ.pdf | |
![]() | MURD605 | MURD605 MOTOROLA SOT-252 | MURD605.pdf | |
![]() | ZMM55C4V3 TEL:82766440 | ZMM55C4V3 TEL:82766440 GRANDE SOT34 | ZMM55C4V3 TEL:82766440.pdf | |
![]() | EPM7256BUC169 | EPM7256BUC169 N/A BGA | EPM7256BUC169.pdf | |
![]() | SP1202S01RB-PCB/NOPB | SP1202S01RB-PCB/NOPB NationalSemiconductorTI SMD or Through Hole | SP1202S01RB-PCB/NOPB.pdf | |
![]() | BF067W | BF067W PH SOT23 | BF067W.pdf | |
![]() | EEFCD0J470R 6.3V47UF-D | EEFCD0J470R 6.3V47UF-D PANASONIC SMD or Through Hole | EEFCD0J470R 6.3V47UF-D.pdf | |
![]() | Si91841DT-36-T1-E3 | Si91841DT-36-T1-E3 Vishay SMD or Through Hole | Si91841DT-36-T1-E3.pdf | |
![]() | C1206CRNPO9BN390 1206-39P | C1206CRNPO9BN390 1206-39P YAGEO SMD or Through Hole | C1206CRNPO9BN390 1206-39P.pdf |