창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5656A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5629(A) - 1N5665(A) | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 77.8V | |
전압 - 항복(최소) | 86.5V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 125V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 12A | |
전력 - 피크 펄스 | 1500W(1.5kW) | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-13 | |
공급 장치 패키지 | DO-13 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1N5656AMS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5656A | |
관련 링크 | 1N56, 1N5656A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
416F320XXATR | 32MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F320XXATR.pdf | ||
TB-1.8432MDE-T | 1.8432MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TB-1.8432MDE-T.pdf | ||
ISO7321FCDR | General Purpose Digital Isolator 3000Vrms 2 Channel 25Mbps 25kV/µs CMTI 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | ISO7321FCDR.pdf | ||
IP4001CR20 | IP4001CR20 ORIGINAL SOP | IP4001CR20.pdf | ||
D3245 | D3245 INTEL CDIP16 | D3245.pdf | ||
LN1150P362PR | LN1150P362PR ORIGINAL SOT-89-3L | LN1150P362PR.pdf | ||
7N60L | 7N60L UTC TO-220F1 | 7N60L.pdf | ||
J2N5467 | J2N5467 MOT TO-3 | J2N5467.pdf | ||
EPM2426 | EPM2426 RFIC QFN16 | EPM2426.pdf | ||
LF311H/883B | LF311H/883B NSC CAN | LF311H/883B.pdf | ||
C1212AB | C1212AB ORIGINAL SMD or Through Hole | C1212AB.pdf | ||
28.636MHZ 5*7 5070 4P | 28.636MHZ 5*7 5070 4P TAIWAN SMDDIP | 28.636MHZ 5*7 5070 4P.pdf |