창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5632A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5629(A) - 1N5665(A) | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 7.78V | |
전압 - 항복(최소) | 8.65V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 13.4V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 112A | |
전력 - 피크 펄스 | 1500W(1.5kW) | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-13 | |
공급 장치 패키지 | DO-13 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1N5632AMS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5632A | |
관련 링크 | 1N56, 1N5632A 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
04023J3R1BBWTR\500 | 3.1pF Thin Film Capacitor 25V 0402 (1005 Metric) 0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm) | 04023J3R1BBWTR\500.pdf | ||
TSX-3225 25.0000MF10P-C3 | 25MHz ±10ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | TSX-3225 25.0000MF10P-C3.pdf | ||
416F2501XAKR | 25MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F2501XAKR.pdf | ||
2EZ22D5 | DIODE ZENER 22V 2W DO204AL | 2EZ22D5.pdf | ||
RC1218DK-0743R2L | RES SMD 43.2 OHM 1W 1812 WIDE | RC1218DK-0743R2L.pdf | ||
CFR-12JB-52-82R | RES 82 OHM 1/6W 5% AXIAL | CFR-12JB-52-82R.pdf | ||
JZ809 | JZ809 JZ SOT23-3 | JZ809.pdf | ||
15P 6KV | 15P 6KV TDK SMD or Through Hole | 15P 6KV.pdf | ||
K167CRL33MHAZXT | K167CRL33MHAZXT InfineonTechnologiesAg SMD or Through Hole | K167CRL33MHAZXT.pdf | ||
TA7324PG | TA7324PG TOSHIBA ZIP-9 | TA7324PG.pdf | ||
SWPA6028S2R7NT | SWPA6028S2R7NT ORIGINAL SMD or Through Hole | SWPA6028S2R7NT.pdf | ||
D25018RJ-S | D25018RJ-S ROEDERSTEIN SMD or Through Hole | D25018RJ-S.pdf |