창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5622 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5614 thru 22 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1000V(1kV) | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 3A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 2µs | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 1000V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | A, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 200°C | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5622 | |
| 관련 링크 | 1N5, 1N5622 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| P4KE350-G | TVS DIODE 284VWM 504VC DO41 | P4KE350-G.pdf | ||
![]() | IDCS2512ER331M | 330µH Shielded Inductor 200mA 1.4 Ohm Max Nonstandard | IDCS2512ER331M.pdf | |
![]() | TNPW04022K74BEED | RES SMD 2.74KOHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW04022K74BEED.pdf | |
![]() | TS117PLTR | TS117PLTR CLARE CALL | TS117PLTR.pdf | |
![]() | 1N3855 | 1N3855 Rca DIP | 1N3855.pdf | |
![]() | k9hbg08u1m-pIb0 | k9hbg08u1m-pIb0 SAMSUNG TSOP48 | k9hbg08u1m-pIb0.pdf | |
![]() | NLU160805T-1N5C | NLU160805T-1N5C TDK SMD or Through Hole | NLU160805T-1N5C.pdf | |
![]() | CY7C419-25PC | CY7C419-25PC CYPRESS PDIP | CY7C419-25PC.pdf | |
![]() | GRM36F103Z50 | GRM36F103Z50 MURATA SMD or Through Hole | GRM36F103Z50.pdf | |
![]() | 1912414 | 1912414 PHOENIX BULK | 1912414.pdf | |
![]() | TLV4112IDGNG4 | TLV4112IDGNG4 TI MOSP | TLV4112IDGNG4.pdf |