창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5610 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5610 thru 1N5613 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 30.5V | |
전압 - 항복(최소) | 33V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 47.6V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 32A | |
전력 - 피크 펄스 | 1500W(1.5kW) | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | G, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | G, 축방향 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5610 | |
관련 링크 | 1N5, 1N5610 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | R452002.L | R452002.L ORIGINAL SMD or Through Hole | R452002.L.pdf | |
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![]() | H11AG2S | H11AG2S Fairchi SMD or Through Hole | H11AG2S.pdf |