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Microsemi Corporation 1N5553US

1N5553US
제조업체 부품 번호
1N5553US
제조업 자
제품 카테고리
다이오드, 정류기 - 단일
간단한 설명
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
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내부 부품 번호EIS-1N5553US
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서1N5550US thru 1N5554US
종류이산 소자 반도체 제품
제품군다이오드, 정류기 - 단일
제조업체Microsemi Corporation
계열-
포장벌크
부품 현황유효
다이오드 유형표준
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)800V
전류 -평균 정류(Io)3A
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If1.2V @ 9A
속도표준 회복 >500ns, > 200mA(Io)
역회복 시간(trr)2µs
전류 - 역누설 @ Vr1µA @ 800V
정전 용량 @ Vr, F-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SQ-MELF, B
공급 장치 패키지B, SQ-MELF
작동 온도 - 접합-65°C ~ 175°C
표준 포장 1
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)1N5553US
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