창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5545B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5518B-1N5546B-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 112옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10nA @ 27V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5545B | |
관련 링크 | 1N55, 1N5545B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
LGU1K152MELZ | 1500µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | LGU1K152MELZ.pdf | ||
![]() | SIT8009AC-12-18E-133.330000D | OSC XO 1.8V 133.33MHZ OE | SIT8009AC-12-18E-133.330000D.pdf | |
![]() | VS-86HFR80M | DIODE GEN PURP 800V 85A DO203AB | VS-86HFR80M.pdf | |
![]() | CW160808-47NJ | 47nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 280 mOhm 0603 (1608 Metric) | CW160808-47NJ.pdf | |
![]() | ERJ-S1DF2053U | RES SMD 205K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF2053U.pdf | |
![]() | 0307-8R2 | 0307-8R2 LGA SMD or Through Hole | 0307-8R2.pdf | |
![]() | HA7-5101-5 | HA7-5101-5 HARRIS DIP8 | HA7-5101-5.pdf | |
![]() | AD7192 | AD7192 ADI SOP | AD7192.pdf | |
![]() | AA05E-048L-03S | AA05E-048L-03S ASTEC SMD or Through Hole | AA05E-048L-03S.pdf | |
![]() | QRRD1A2EY302G-N-T1 | QRRD1A2EY302G-N-T1 ORIGINAL SMD or Through Hole | QRRD1A2EY302G-N-T1.pdf | |
![]() | 1206CS180XKBC | 1206CS180XKBC COILCRAFT SMD or Through Hole | 1206CS180XKBC.pdf |