창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5543B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5518B-1N5546B-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 25V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 110옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10nA @ 22.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5543B | |
| 관련 링크 | 1N55, 1N5543B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | 2SJ661-DL-1E | MOSFET P-CH 60V 38A | 2SJ661-DL-1E.pdf | |
![]() | ST202EBD | ST202EBD ST SOP-16 | ST202EBD.pdf | |
![]() | RY211009 | RY211009 TYCO SMD or Through Hole | RY211009.pdf | |
![]() | BQ24007RGWRG4 | BQ24007RGWRG4 TI SOP | BQ24007RGWRG4.pdf | |
![]() | 34-30DB | 34-30DB WEINSCHEL SMD or Through Hole | 34-30DB.pdf | |
![]() | 5205933-4 | 5205933-4 TYCO SMD or Through Hole | 5205933-4.pdf | |
![]() | 101S43W224MV | 101S43W224MV JOHANSON SMD or Through Hole | 101S43W224MV.pdf | |
![]() | KMB4D8DN55Q | KMB4D8DN55Q KEC SO-8 | KMB4D8DN55Q.pdf | |
![]() | LYM670-H2K1-26 | LYM670-H2K1-26 OSRAM ROHS | LYM670-H2K1-26.pdf | |
![]() | N28F001BN-T150 | N28F001BN-T150 INTEL PLCC | N28F001BN-T150.pdf | |
![]() | H1013NLT | H1013NLT PULSE SOP16 | H1013NLT.pdf |