창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5539B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5518B-1N5546B-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 106옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10nA @ 17.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5539B | |
관련 링크 | 1N55, 1N5539B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
TM3B686M004EBA | 68µF Molded Tantalum Capacitors 4V 1411 (3528 Metric) 1.9 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TM3B686M004EBA.pdf | ||
SRR0603-150ML | 15µH Shielded Wirewound Inductor 900mA 180 mOhm Max Nonstandard | SRR0603-150ML.pdf | ||
EVRT170EN4R7JE | RES CHAS MNT 4.7 OHM 5% 200W | EVRT170EN4R7JE.pdf | ||
MK2370FE-R52 | RES 237 OHM 1/4W 1% AXIAL | MK2370FE-R52.pdf | ||
V20010-S141-B270 | V20010-S141-B270 SIE QFP-144 | V20010-S141-B270.pdf | ||
FI-A3216-101KJT | FI-A3216-101KJT CTCCERATECHCORPORATIONMADEINKORIA SMD or Through Hole | FI-A3216-101KJT.pdf | ||
TMM2366P-0055 | TMM2366P-0055 TOSHIBA DIP | TMM2366P-0055.pdf | ||
VA2911 | VA2911 AMIS PLCC | VA2911.pdf | ||
FH26W-41S-0.3SHW(15) | FH26W-41S-0.3SHW(15) Hirose Connector | FH26W-41S-0.3SHW(15).pdf | ||
AF82US15QS17ES1 | AF82US15QS17ES1 INTEL BGA | AF82US15QS17ES1.pdf | ||
8111KP | 8111KP ORIGINAL SMD or Through Hole | 8111KP.pdf |