창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5539B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5518B-1N5546B-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 106옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10nA @ 17.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5539B | |
| 관련 링크 | 1N55, 1N5539B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | D121J33C0GH63L6R | 120pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.348" Dia(8.83mm) | D121J33C0GH63L6R.pdf | |
![]() | 445A32B20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 13pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A32B20M00000.pdf | |
![]() | CP000525R00JB143 | RES 25 OHM 5W 5% AXIAL | CP000525R00JB143.pdf | |
![]() | SSCDRRN004NDAA5 | Pressure Sensor ±0.15 PSI (±1 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 0.5 V ~ 4.5 V 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Same Side | SSCDRRN004NDAA5.pdf | |
![]() | LM1108SF5 | LM1108SF5 HTC/KOREA SOT-235L | LM1108SF5.pdf | |
![]() | H8BESOSQOMCR-46M | H8BESOSQOMCR-46M HYNIX BGA | H8BESOSQOMCR-46M.pdf | |
![]() | EC1345TS44.330M | EC1345TS44.330M IDT TSSOP14 | EC1345TS44.330M.pdf | |
![]() | AT28C010E-25JC | AT28C010E-25JC ATMEL PLCC32 | AT28C010E-25JC.pdf | |
![]() | MC100EP139DT | MC100EP139DT ON TSSOP20 | MC100EP139DT.pdf | |
![]() | MCD122-16io1B | MCD122-16io1B IXYS SMD or Through Hole | MCD122-16io1B.pdf | |
![]() | NPIS14P8R2MTRF | NPIS14P8R2MTRF ORIGINAL ORIGINAL | NPIS14P8R2MTRF.pdf | |
![]() | CSTCE10M2G52A03-R0 | CSTCE10M2G52A03-R0 MuRata SMD or Through Hole | CSTCE10M2G52A03-R0.pdf |