창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5533B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5518B-1N5546B-1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10nA @ 11.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-35 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5533B | |
| 관련 링크 | 1N55, 1N5533B 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MHQ0402P1N8BT000 | 1.8nH Unshielded Multilayer Inductor 250mA 300 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MHQ0402P1N8BT000.pdf | |
![]() | SFE5 | SFE5 Agilent QFN | SFE5.pdf | |
![]() | IP-B00-CX | IP-B00-CX IP SMD or Through Hole | IP-B00-CX.pdf | |
![]() | T491B685M016AS/293D685X0016B2TE3 | T491B685M016AS/293D685X0016B2TE3 KEMET/VISHAY na | T491B685M016AS/293D685X0016B2TE3.pdf | |
![]() | AZ23C10-V-G-GS08 | AZ23C10-V-G-GS08 VISHAY SOT-23 | AZ23C10-V-G-GS08.pdf | |
![]() | D9DMT | D9DMT ORIGINAL BGA | D9DMT.pdf | |
![]() | MAX9705AETB | MAX9705AETB MAXIM QFN | MAX9705AETB.pdf | |
![]() | 989691141 | 989691141 ORIGINAL SMD or Through Hole | 989691141.pdf | |
![]() | udn2962 | udn2962 ALLE sip-12 | udn2962.pdf | |
![]() | HD64E3101 | HD64E3101 HITACHI PGA | HD64E3101.pdf | |
![]() | BD3530/D3530 | BD3530/D3530 ROHM SOP8 | BD3530/D3530.pdf |