창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5527B (DO35) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5518B-1N5546B-1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 35옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-35 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5527B (DO35) | |
관련 링크 | 1N5527B , 1N5527B (DO35) 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | FW80200M733SL5YK | FW80200M733SL5YK INTEL BGA | FW80200M733SL5YK.pdf | |
![]() | C50311041 | C50311041 ORIGINAL SMD or Through Hole | C50311041.pdf | |
![]() | EPM7256AEFI100-5N | EPM7256AEFI100-5N ALTERA BGA | EPM7256AEFI100-5N.pdf | |
![]() | NAN0001-00SPI | NAN0001-00SPI HITACHI QFP | NAN0001-00SPI.pdf | |
![]() | CAT5120TBI-10GT3 | CAT5120TBI-10GT3 ON SMD or Through Hole | CAT5120TBI-10GT3.pdf | |
![]() | L9884-ICLL | L9884-ICLL ST QFP44 | L9884-ICLL.pdf | |
![]() | AA-27601 | AA-27601 ORIGINAL SMD or Through Hole | AA-27601.pdf | |
![]() | EO1A41BB | EO1A41BB EPSON BGA | EO1A41BB.pdf | |
![]() | LTC2410IGNPBF | LTC2410IGNPBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LTC2410IGNPBF.pdf | |
![]() | 1826-0161 | 1826-0161 MOT SMD or Through Hole | 1826-0161.pdf | |
![]() | GRM1535C1H100JDD5B | GRM1535C1H100JDD5B muRata SMD or Through Hole | GRM1535C1H100JDD5B.pdf | |
![]() | NDP605 | NDP605 FAI TO-220 | NDP605.pdf |