창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5387C/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 190V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 450옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 137V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5387C/TR12 | |
관련 링크 | 1N5387C, 1N5387C/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
8W-6.000MDE-T | 6MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 15mA Enable/Disable | 8W-6.000MDE-T.pdf | ||
S1210R-101F | 100nH Shielded Inductor 1.131A 150 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | S1210R-101F.pdf | ||
MS46SR-20-520-Q1-00X-00R-NC-FN | SYSTEM | MS46SR-20-520-Q1-00X-00R-NC-FN.pdf | ||
awg28-16gi | awg28-16gi div SMD or Through Hole | awg28-16gi.pdf | ||
JN5139-Z01-M/02R1V | JN5139-Z01-M/02R1V NXP SMD or Through Hole | JN5139-Z01-M/02R1V.pdf | ||
PTVS60VP1UP | PTVS60VP1UP NXP SMD or Through Hole | PTVS60VP1UP.pdf | ||
PDH5022MT2R2 | PDH5022MT2R2 Stackpole SMD | PDH5022MT2R2.pdf | ||
SN54HC08 | SN54HC08 TI DIP | SN54HC08.pdf | ||
RI-TRP-WFOB | RI-TRP-WFOB TI SMD or Through Hole | RI-TRP-WFOB.pdf | ||
KAS | KAS ORIGINAL SOT-23 | KAS.pdf | ||
MAX1082ACUE | MAX1082ACUE MAXIM TSSOP16 | MAX1082ACUE.pdf |