창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5387AE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 190V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 450옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 137V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5387AE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5387AE, 1N5387AE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SP1008R-393H | 39µH Shielded Wirewound Inductor 146mA 5.3 Ohm Max Nonstandard | SP1008R-393H.pdf | |
![]() | 4-1415538-9 | RELAY GEN PURP | 4-1415538-9.pdf | |
![]() | ISSI24C02-3GR | ISSI24C02-3GR ISSI SOP-8 | ISSI24C02-3GR.pdf | |
![]() | SMJ4C1024-10HJM 4C1024M/BZAJC | SMJ4C1024-10HJM 4C1024M/BZAJC TI SOJ20 | SMJ4C1024-10HJM 4C1024M/BZAJC.pdf | |
![]() | MC100EP451 | MC100EP451 ON QFP32 | MC100EP451.pdf | |
![]() | MCP6042I/P | MCP6042I/P MICROCHIP SMD or Through Hole | MCP6042I/P.pdf | |
![]() | INS/DP8216J | INS/DP8216J NSC SMD or Through Hole | INS/DP8216J.pdf | |
![]() | 105000000000000 | 105000000000000 kyocera 120box | 105000000000000.pdf | |
![]() | 1590060-093 | 1590060-093 ASTRON SMD or Through Hole | 1590060-093.pdf | |
![]() | 10UH M | 10UH M N/A SMD or Through Hole | 10UH M.pdf | |
![]() | F2372* | F2372* ORIGINAL SMD or Through Hole | F2372*.pdf | |
![]() | 2SC3665-Y/F | 2SC3665-Y/F TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SC3665-Y/F.pdf |