창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5386E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 180V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 430옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 130V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5386E3/TR8 | |
관련 링크 | 1N5386E, 1N5386E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | LQW2UAS1R5J00L | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 330mA 2.3 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | LQW2UAS1R5J00L.pdf | |
![]() | FDC4051 | FDC4051 N/A DIP | FDC4051.pdf | |
![]() | TSB43CA43A | TSB43CA43A TI QFP | TSB43CA43A.pdf | |
![]() | SABC505-CA-4EM | SABC505-CA-4EM MAXIM SOP8 | SABC505-CA-4EM.pdf | |
![]() | 49S4HSMD3.6864MAF30/3016P | 49S4HSMD3.6864MAF30/3016P ORIGINAL SMD or Through Hole | 49S4HSMD3.6864MAF30/3016P.pdf | |
![]() | B121EW03 V1 | B121EW03 V1 AUO SMD or Through Hole | B121EW03 V1.pdf | |
![]() | M306V2ME-198FP | M306V2ME-198FP N/A QFP | M306V2ME-198FP.pdf | |
![]() | BZM55B4V7 | BZM55B4V7 VIS SMD or Through Hole | BZM55B4V7.pdf | |
![]() | L-117GYW | L-117GYW KIBGBRIGHT ROHS | L-117GYW.pdf | |
![]() | SC68172C2N28 | SC68172C2N28 PHI DIP28 | SC68172C2N28.pdf | |
![]() | K4S641632P-TCIL | K4S641632P-TCIL SAMSUNG TSSOP | K4S641632P-TCIL.pdf | |
![]() | 2SJ158 | 2SJ158 TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SJ158.pdf |