창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5385CE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 170V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 380옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 122V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5385CE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5385CE, 1N5385CE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | MLF1608A4R7JTD25 | 4.7µH Shielded Multilayer Inductor 30mA 1.6 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | MLF1608A4R7JTD25.pdf | |
![]() | B78148S1332J | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 900mA 290 mOhm Max Radial | B78148S1332J.pdf | |
![]() | AMBA345911 | MOTION SENSOR V TYPE 110CM | AMBA345911.pdf | |
![]() | AZ1117D-1.8TRG1 | AZ1117D-1.8TRG1 BCD TO-252-2 | AZ1117D-1.8TRG1.pdf | |
![]() | ZMM5V01 | ZMM5V01 ST/VISHAY SMD or Through Hole | ZMM5V01.pdf | |
![]() | MST8111B. | MST8111B. MSTAR QFP | MST8111B..pdf | |
![]() | DF3-6P-2H | DF3-6P-2H JAPAN SMD or Through Hole | DF3-6P-2H.pdf | |
![]() | DGS3-018AS | DGS3-018AS IXYS SMD or Through Hole | DGS3-018AS.pdf | |
![]() | UPC1316V | UPC1316V NEC DIP | UPC1316V.pdf | |
![]() | 245046020000829+ | 245046020000829+ KYOCERA SMD or Through Hole | 245046020000829+.pdf | |
![]() | NX3L2T384GM,125 | NX3L2T384GM,125 NXPSemiconductors 8-XQFN | NX3L2T384GM,125.pdf |