창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5385B/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 170V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 380옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 122V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 1N5385B 1N5385BMSTR 1N5385BMSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5385B/TR12 | |
관련 링크 | 1N5385B, 1N5385B/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | AQ1055N6S-T | 5.6nH Unshielded Inductor 550mA 200 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | AQ1055N6S-T.pdf | |
![]() | YC158TJR-073K6L | RES ARRAY 8 RES 3.6K OHM 1206 | YC158TJR-073K6L.pdf | |
![]() | CMF6095K300FKR6 | RES 95.3K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6095K300FKR6.pdf | |
![]() | APX1117E25G-13 | APX1117E25G-13 DIODES SOT-252 | APX1117E25G-13.pdf | |
![]() | 74LV241PW,112 | 74LV241PW,112 NXP SOT360 | 74LV241PW,112.pdf | |
![]() | TMTA301487 | TMTA301487 TI BGA | TMTA301487.pdf | |
![]() | TS68950CP | TS68950CP ST DIP-24 | TS68950CP.pdf | |
![]() | CY7C1347B-156BGC | CY7C1347B-156BGC CYPRESS BGA | CY7C1347B-156BGC.pdf | |
![]() | CUB-T4P-3216-900T | CUB-T4P-3216-900T ORIGINAL SMD or Through Hole | CUB-T4P-3216-900T.pdf | |
![]() | 29LV800TA-10FTN | 29LV800TA-10FTN F TSOP48 | 29LV800TA-10FTN.pdf | |
![]() | NACL470M10V6.3X5.5TR13F | NACL470M10V6.3X5.5TR13F NICCOMP SMD | NACL470M10V6.3X5.5TR13F.pdf | |
![]() | ESD3D03CC | ESD3D03CC SOCAY SMD or Through Hole | ESD3D03CC.pdf |