창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5385B/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 170V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 380옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 122V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 1N5385B 1N5385BMSTR 1N5385BMSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5385B/TR12 | |
관련 링크 | 1N5385B, 1N5385B/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | ERA-S33J151V | RES TEMP SENS 150 OHM 5% 1/10W | ERA-S33J151V.pdf | |
![]() | Q1657 258 | Q1657 258 N/A SMD or Through Hole | Q1657 258.pdf | |
![]() | 6416ANL | 6416ANL ON TO-252 | 6416ANL.pdf | |
![]() | EPM7128LI84-20 | EPM7128LI84-20 ALTERA PLCC84 | EPM7128LI84-20.pdf | |
![]() | RK09L1120A2S.RK09L112003P | RK09L1120A2S.RK09L112003P ALPS SMD or Through Hole | RK09L1120A2S.RK09L112003P.pdf | |
![]() | 1812J2500562JCTF09 | 1812J2500562JCTF09 SYFER SMD or Through Hole | 1812J2500562JCTF09.pdf | |
![]() | SI4942DYT1E3 | SI4942DYT1E3 sil SMD or Through Hole | SI4942DYT1E3.pdf |