창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-1N5384B/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 160V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 350옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 115V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | T-18 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 1N5384B/TR12 | |
| 관련 링크 | 1N5384B, 1N5384B/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VS-1N3766R | DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB | VS-1N3766R.pdf | |
![]() | CRCW08051K00DKEAP | RES SMD 1K OHM 0.5% 1/8W 0805 | CRCW08051K00DKEAP.pdf | |
![]() | YC124-JR-07430RL | RES ARRAY 4 RES 430 OHM 0804 | YC124-JR-07430RL.pdf | |
![]() | E3FA-DP26 | INFRARED M18 PLSTC 1M PNP | E3FA-DP26.pdf | |
![]() | RFLVDB 1B4 | RFLVDB 1B4 ALCATEL SMD or Through Hole | RFLVDB 1B4.pdf | |
![]() | 0513451872+ | 0513451872+ MOLEX SMD or Through Hole | 0513451872+.pdf | |
![]() | PDJ006A | PDJ006A ORIGINAL QFP80 | PDJ006A.pdf | |
![]() | 250YXF47M | 250YXF47M RUBYCON SMD or Through Hole | 250YXF47M.pdf | |
![]() | HC2-H-DC6V | HC2-H-DC6V Panasonic DIP | HC2-H-DC6V.pdf | |
![]() | PR-MS-160-T | PR-MS-160-T CTC SMD | PR-MS-160-T.pdf | |
![]() | BC-875-B | BC-875-B PHILIPS SMD or Through Hole | BC-875-B.pdf | |
![]() | CL05C471J05NNNC | CL05C471J05NNNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL05C471J05NNNC.pdf |