창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-1N5383BE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N5333B-1N5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 330옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 108V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | T-18, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | T-18 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 1N5383BE3/TR12 | |
관련 링크 | 1N5383BE, 1N5383BE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | C0805C335M8PACTU | 3.3µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C335M8PACTU.pdf | |
![]() | ZTX853STZ | TRANS NPN 100V 4A E-LINE | ZTX853STZ.pdf | |
![]() | 2SC4445 | TRANS NPN 800V 3A TO3PF | 2SC4445.pdf | |
![]() | MBB02070C1051FCT00 | RES 1.05K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C1051FCT00.pdf | |
![]() | WS1101-TR1G | WS1101-TR1G AGILENT QFN | WS1101-TR1G.pdf | |
![]() | 1356-1 | 1356-1 KEY SMD or Through Hole | 1356-1.pdf | |
![]() | 5635D5 | 5635D5 CHICAGOMINIATURE ORIGINAL | 5635D5.pdf | |
![]() | NFORCE PRO2200-A3 | NFORCE PRO2200-A3 NVIDIA BGA | NFORCE PRO2200-A3.pdf | |
![]() | H1183NLST | H1183NLST PULSE SMD or Through Hole | H1183NLST.pdf | |
![]() | STP3N61FI | STP3N61FI ST TO-220 | STP3N61FI.pdf | |
![]() | ML4824CP-1-2 | ML4824CP-1-2 ML SMD or Through Hole | ML4824CP-1-2.pdf |